如今的高端計(jì)算芯片越來(lái)越龐大，臺(tái)積電也在想盡辦法應(yīng)對(duì)，如今正在深入推進(jìn)CoWoS封裝技術(shù)，號(hào)稱(chēng)可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級(jí)別的巨型芯片，而性能可比標(biāo)準(zhǔn)處理器高出足足40倍。

目前，臺(tái)積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺(tái)積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺(tái)積電用的是830平方毫米。

NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計(jì)算模塊和多個(gè)HBM內(nèi)存芯片整合在一起。

明年或稍晚些時(shí)候，臺(tái)積電會(huì)推出下一代CoWoS-L封裝技術(shù)，中介層面積可以做到4719平方毫米，是光罩極限的大約5.5倍，同時(shí)需要10000平方毫米(100x100毫米)的大型基板。

它可以整合最多12顆HBM內(nèi)存，包括下一代HBM4。

這還不算完，臺(tái)積電還計(jì)劃進(jìn)一步將中介層做到7885平方毫米，也就是光照極限的約9.5倍，并需要18000平方毫米的基板，從而封裝最多4顆計(jì)算芯片、12顆HBM內(nèi)存，以及其他IP。

要知道，這已經(jīng)超過(guò)了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的CD光盤(pán)盒(一般142×125毫米)!

仍然沒(méi)完，臺(tái)積電還在繼續(xù)研究SoW-X晶圓級(jí)封裝技術(shù)，目前只有Cerabras、特斯拉使用。

如此巨型芯片除了需要復(fù)雜的封裝技術(shù)，更會(huì)帶來(lái)高功耗、高發(fā)熱的挑戰(zhàn)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)能達(dá)到1000W級(jí)別。

為此，臺(tái)積電計(jì)劃在CoWoS-L封裝內(nèi)的RDL中介層上，直接集成一整顆電源管理IC，從而縮短供電距離，減少有源IC數(shù)量，降低寄生電阻，改進(jìn)系統(tǒng)級(jí)供電效率。

這顆電源管理IC會(huì)使用臺(tái)積電N16工藝、TSV硅通孔技術(shù)制造。

散熱方面，直觸式液冷、浸沒(méi)式液冷，都是必須要考慮的。

另外，OAM 2.0模塊形態(tài)的尺寸為102×165毫米，100×100毫米基板已經(jīng)接近極限，120×150毫米就超過(guò)了，因此需要行業(yè)同步制定新的OAM形態(tài)標(biāo)準(zhǔn)。