上周Intel美光合資的IMFT公司剛剛宣布20nm閃存工藝，創(chuàng)造了閃存制造技術(shù)的新紀錄。本周這一紀錄馬上再被打破，東芝今天就宣布了自己的19nm NAND閃存制造技術(shù)。

東芝表示，該技術(shù)目前已經(jīng)應(yīng)用在2bpc（即MLC）64Gbit（8GB）NAND閃存芯片上，可用于固態(tài)硬盤或智能手機、平板機內(nèi)置存儲等。未來還將應(yīng)用于3bpc產(chǎn)品，主要用于U盤存儲卡等。

東芝表示，其19nm工藝NAND閃存產(chǎn)品支持Toggle DDR2.0標準，可提升傳輸速度。同時由于工藝提升導致的芯片面積下降，他們可以在同一顆芯片內(nèi)封裝16片64Gbit 閃存，實現(xiàn)單芯片128GB容量，面向智能手機、平板機等空間有限的產(chǎn)品。

東芝的19nm工藝2bpc（MLC）64Gbit NAND閃存將于本月底出貨樣品，今年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)，基本和Intel/美光的20nm工藝同步。