三星電子搶先行動整整三個月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。

海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯誤校驗功能，均采用先進的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準規(guī)范。

海力士DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的運行速度高達2400MHz，比目前主流的DDR3-1333快了整整80％，也比三星DDR4快了266MHz，同時運行電壓僅有1.2V，64-bit I/O接口下數(shù)據(jù)傳輸帶寬高達19.2GB/s。

海力士計劃2012年下半年開始批量生產(chǎn)這種高性能DDR4內(nèi)存，主要提供給微型服務(wù)器(micro server)市場，暫無消費級產(chǎn)品規(guī)劃。

市調(diào)機構(gòu)iSuppli認為，DDR4 DRAM在整個內(nèi)存市場上的份額2013年約為5％，2015年即可超過50％成為主流，同時DDR3 DRAM內(nèi)存在2012年達到71％的份額高峰，2014年就會迅速滑落到49％。