長江存儲在美國起訴美光 指控對方侵犯其11項專利
- 來源:超能網(wǎng)
- 作者:呂嘉儉
- 編輯:豆角
近日,長江存儲(YMTC)在美國加州北部地區(qū)的地方法院對美光提起訴訟,指控對方侵犯其11項專利,涉及3D NAND閃存及DRAM產(chǎn)品,要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲器產(chǎn)品,并支付相關(guān)的專利使用費。
據(jù)Blocks & Files報道,長江存儲稱,美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND閃存以及其他一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品(Y2BM系列)侵犯了長江存儲在美國提交的專利或?qū)@暾垺?
其實早在去年11月,長江存儲已經(jīng)在美國加州北部地區(qū)的地方法院向美光提起訴訟,指控對方侵犯其8項專利與3D NAND閃存的專利。此外,長江存儲還在上個月,在美國加州北部地區(qū)的聯(lián)邦法院提起訴訟,指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁Roslyn Layton散布虛假信息,試圖破壞長江存儲的市場聲譽和商業(yè)關(guān)系。
盡管長江存儲在2022年底被美國商務(wù)部列入了實體清單,無法從美國公司獲得先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備來制造128層及以上的3D NAND閃存,但是仍然努力地通過原有設(shè)備及國產(chǎn)設(shè)備繼續(xù)開發(fā)新技術(shù)。基于Xtacking 3.0架構(gòu)的芯片仍在不斷生產(chǎn),并且在今年早些時候,成功地將3D QLC NAND的耐久性大幅提高到3D TLC NAND的水平。此外,長江存儲還在開發(fā)基于Xtacking 4.0架構(gòu)的芯片,最快可能會在今年末出現(xiàn),層數(shù)超過了300層。

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