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年產內存3000萬條 我國一個重要存儲芯片項目年底投產

時間:2021-06-27 11:27:09
  • 來源:快科技
  • 作者:3DM整理
  • 編輯:亂走位的奧巴馬

今年底我國又要建成一條重要的存儲芯片生產線了,據(jù)報道深科技子公司合肥沛頓存儲科技有限公司一期項目圓滿封頂,預計年底投產,主要從事內存及閃存芯片封測。

年產內存3000萬條 我國一個重要存儲芯片項目年底投產

按照建設規(guī)劃,合肥沛頓存儲項目將于今年9月底完成全部建設任務,10月初進駐生產設備,力爭于今年年底實現(xiàn)投產并形成有效產能。

項目達產后,預計可實現(xiàn)年封測DRAM顆粒5.76億顆,年封裝NAND FLASH 3840萬顆,年產內存模組3000萬條的生產能力,預計可實現(xiàn)年營收28億元左右。

根據(jù)深科技沛頓與國家集成電路產業(yè)投資基金二期股份有限公司、合肥經開產業(yè)投促創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)、中電聚芯一號(天津)企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)簽署的《投資協(xié)議》,深科技沛頓存儲各方股東已于2020年11月出資40000.00萬元,其中深科技沛頓首期出資22352.00萬元已按約定支付完畢。

各方股東將同步進行第二期出資,深科技沛頓出資148,648.00萬元,其中募集資金146165.28萬元,自有資金2482.72萬元。

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