IBM Almaden研究中心的研究員們在12個原子內(nèi)儲存了1bit信息，這在尺寸上比快閃記憶體(NAND flash)還要密集150倍。

他們利用反鐵磁性現(xiàn)象將12個原子排列成穩(wěn)定的一組并保持了數(shù)小時，并且還未受到附近其他組的影響。由于存儲一字節(jié)的信息需要用到96個原子，IBM就將"Think"這個單詞儲存在了96個原子組成的5個存儲區(qū)里。

這些原子是在一個未經(jīng)透露的低溫下由掃描隧道顯微鏡操縱的。反鐵磁性現(xiàn)象只發(fā)生于低于尼爾溫度(The Néel temperature)的情況下，此溫度還隨著所應(yīng)用材料的不同而波動。高于此溫度的話這種現(xiàn)象就會消失。尼爾溫度以開氏溫度定義，在開氏溫度中，水的三相點(diǎn)溫度是273.15K。

尼爾溫度：又稱尼爾點(diǎn)，是反鐵磁體及亞鐵磁體的相變溫度，當(dāng)溫度超過尼爾點(diǎn)時，反鐵磁體及亞鐵磁性均隨之消失，成為順磁體。

反鐵磁性：在沒有外加磁場的情況下，物質(zhì)中相鄰的完全相同的原子或離子的磁矩由于其相互作用而處于相互抵消的排列狀態(tài)，致使合磁矩為零，而施加一個磁場時就改變一些磁矩的方向，致使在物質(zhì)中的合磁矩隨磁場強(qiáng)度的增大而增大到某一極限值的現(xiàn)象。

處于反鐵磁性狀態(tài)下的原子其磁矩處于相互抵消的排列狀態(tài)，所以這樣一組原子表現(xiàn)出的合磁矩為零。磁矩通常受到電子自旋方向的影響，如果你能改變電子自旋方向你就能改變磁矩。

IBM 的研究員們正是利用這一點(diǎn)制作了這個原子級存儲器。IBM表示此項(xiàng)技術(shù)是硬盤信息壓縮比的100倍，這確實(shí)令人印象深刻，但這項(xiàng)技術(shù)并不會在20年內(nèi)出現(xiàn)在市場上。